공정 설계 — 조건 즉시 예측 워크스페이스
아래 워크스페이스에서 조건을 바꾸면 결과가 즉시 갱신됩니다. 물질 21종·공정가스 상세는 아래 ①②③ 단계에서 펼쳐 조절하세요.→ 소개
빠른 체험:
1공정 선택
ALD(주기식·원자층 단위)·CVD(연속 증착)·E-beam·Sputter(PVD)·Etch(RIE 연속 제거)·ALE(원자층 식각). 플라즈마 여부는 아래 공정가스 선택으로 결정됩니다.
2물질 시스템
분류 칩을 눌러 물질을 고르세요. 선택 물질은 아래 공정가스·결과에 즉시 연동됩니다.
gate·capacitor 절연막
Al₂O₃ 공정가스 — 전구체·반응가스를 고르세요
표준 레시피프리커서 TMA·반응가스 O₃
표면반응(개략식)TMA + O₃ → Al₂O₃ + CH₄↑· 강한 반응성(치밀·저불순물)
3공정 조건
초록 밴드가 논문 일반 범위입니다. ⓘ를 눌러 각 파라미터의 의미를 확인하세요.
공정
물질반응가스
서셉터 온도
°C
60논문 일반 범위 150–300 °C400
공정 압력
Torr
0.05논문 일반 범위 0.1–3 Torr10
캐리어 가스 유량 (N₂)
sccm
20논문 일반 범위 50–500 sccm1000
TMA 펄스 시간
s
0.02논문 일반 범위 0.05–0.5 s2
퍼지 1 (펄스 후)
s
0.5논문 일반 범위 2–15 s30
O₃ 펄스 시간
s
0.02논문 일반 범위 0.05–0.5 s2
퍼지 2 (반응물 후)
s
0.5논문 일반 범위 3–30 s60
사이클 수
cycles
10논문 일반 범위 50–1000 cycles2000
Precursor 유량
sccm
10논문 일반 범위 40–150 sccm300